济南槐荫工业园区宽禁带半导体产业发展研讨会在槐荫区侨商之家举办

专家团来到德迈创新创业基地暨中创科技成果交易平台参观

专家团在山东天岳晶体材料有限公司参观

　　大众网济南7月18日讯（记者 高娜）7月18日下午，济南槐荫工业园区宽禁带半导体产业发展研讨会在槐荫区侨商之家举办。记者了解到，此次研讨会将会推动槐荫在半导体产业发展方面实现新的突破。

　　围绕如何迅速形成新材料产业聚集，助力济南打造十大千亿级产业，槐荫区依托济南槐荫工业园区在宽禁带半导体产业发展方面的先发优势,凝聚山东大学晶体材料研究所（晶体材料国家重点实验室）、微电子学院研究成果和学科人才、园区企业山东天岳晶体材料有限公司碳化硅产业化技术、中创科技成果交易平台等多重优势要素，积极着手引导产业做大做强。为此，槐荫工业园区力邀国内半导体行业专家共同论宽禁带半导体产业发展思路。

　　研讨会上，济南槐荫工业园区重点介绍了筹划建设的半导体产业特色小镇，受到与会专家的一致关注与支持。

　　与会专家认为济南槐荫工业园区具备建设半导体产业特色小镇的条件和要素，建设思路可行性强，是建设半导体产业聚集区的适合区域，签署了论证结论，并根据园区实际在具体实施的过程上提出了许多具有建设性的意见建议。

　　据悉，业界大咖论道槐荫，只是序幕。7月19日将举行宽禁带半导体产业发展论坛及战略签约仪式，届时将有一系列涉及重大科技成果转化，助力新旧动能转换的项目正式亮相。

　　延伸阅读：

　　宽禁带半导体材料被称为第三代半导体材料，广泛应用于照明、通讯、电能变换等领域，不仅极大改变人们的生活而且更绿色节能。

　　宽禁带半导体主要是指禁带宽度(导带最低点与价带最高点之间的能量差)大于2.2电子伏特的半导体材料。以GaN、SiC为代表的宽禁带半导体材料具有高击穿电场强度、高截止频率、高热传导率、高结温和良好的热稳定性、强抗辐射能力等特点，这些特点的具备使得其可以在传统器件所不能胜任的高温、强辐射环境中得到应用。

　　随着器件设计技术和制造工艺的不断进步，宽禁带半导体器件必将逐步取代传统的半导体器件。